反及型快闪记忆体中记忆体单元之感测

摘要

本发明阐述一种类比电压反及闸架构非挥发性记忆体资料读取/验证程序及电路，其利用源极随耦器电压感测来感测非挥发性单元中之类比电压。在一源极随耦感测或读取作业中，藉由向源极线施加一升高电压来读取一反及闸架构快闪记忆体阵列之一反及闸串中之一单元之程式化临限电压，在该串之未选单元之闸极上设一升高的通过电压(Vpass)以将该等闸极设于一通过运作模式中，且向该所选单元之闸极施加一读取闸极电压(Vg)。该所选记忆体单元作为一源极随耦器用以将耦合位元线上之一电压设定为该读取闸极电压减去该单元之临限电压(Vg-Vt)，从而允许对该单元之电压进行直接感测或取样。