半导体装置的制造方法

摘要

以透过激励氢气而产生并用离子掺杂设备加速的离子来照射单晶半导体基板，从而形成包含大量氢的损伤区。在接合单晶半导体基板和支持基板之后，加热单晶半导体基板，以沿损伤区分离。在加热与单晶半导体基板分离的单晶半导体层的同时，采用雷射光束来照射该单晶半导体层。透过经由雷射光束照射熔融，单晶半导体层经过再单晶化，从而复原其结晶度，并对单晶半导体层的表面进行平面化。