程式化交叉点二极体记忆体阵列之方法

摘要

本发明揭示一种程式化一非挥发性记忆体阵列之方法，该非挥发性记忆体阵列包含复数个非挥发性记忆体单元、复数个位元线及复数个字线，其中每一记忆体单元包括一二极体，或一二极体和一电阻率转换元件。该方法包含加偏压及程式化该装置之该等记忆体单元两者。