发明名称 光伏打电池制造技术
摘要 本发明揭露了一种制造至少一半导体光伏打电池或模组以及用于分类半导体材料的方法。在一实施中,该方法包含在制造过程的多个阶段的每一阶段使一晶片发光成像,以及比较从该成像步骤获得的有关该同一晶片的至少两个影像,以识别由制造过程引起的缺陷的发生或成长。在由制程引起的一缺陷被识别超过一预定可接受位准的情况下,晶片从制造过程被移除,或者缺陷可被去除,或者晶片被传递到一备选制造过程以与其特性匹配。在一备选实施中,该方法包含分类半导体材料。例如,提供至少两个晶片,获取每一晶片的发光影像,比较这两个影像来决定该等晶片的电气结构相似性,以及将具有一预定电气结构相似性位准的晶片分类到同一系列。该发明方法适于决定机械、电气以及整饰不规则中的各种形式。
申请公布号 TW200931554 申请公布日期 2009.07.16
申请号 TW097133427 申请日期 2008.09.01
申请人 BT映像私人有限公司 发明人 巴多斯 罗伯特A;吐普克 索斯登
分类号 H01L21/66(2006.01);G01N21/88(2006.01);H01L31/18(2006.01) 主分类号 H01L21/66(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 澳大利亚