发明名称 蚀刻遮罩之形成方法、控制程式及程式储存媒体
摘要 根据光阻层105b的量测线宽以及SiO#sB!2#eB!层103所构成之遮罩图案的量测线宽,执行前馈控制,俾能使由利用光阻层105b作为遮罩而形成之Si#sB!3#eB!N#sB!4#eB!层102所构成之遮罩的线宽与SiO#sB!2#eB!层103所构成之遮罩图案的线宽相同。例如,控制光阻层105b之线宽之修整量,俾能使光阻层105b的线宽与由SiO#sB!2#eB!层103所构成之遮罩图案的线宽相同。
申请公布号 TW200931516 申请公布日期 2009.07.16
申请号 TW097141022 申请日期 2008.10.24
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 八田浩一;西村荣一
分类号 H01L21/3065(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本