发明名称 | 蚀刻遮罩之形成方法、控制程式及程式储存媒体 | ||
摘要 | 根据光阻层105b的量测线宽以及SiO#sB!2#eB!层103所构成之遮罩图案的量测线宽,执行前馈控制,俾能使由利用光阻层105b作为遮罩而形成之Si#sB!3#eB!N#sB!4#eB!层102所构成之遮罩的线宽与SiO#sB!2#eB!层103所构成之遮罩图案的线宽相同。例如,控制光阻层105b之线宽之修整量,俾能使光阻层105b的线宽与由SiO#sB!2#eB!层103所构成之遮罩图案的线宽相同。 | ||
申请公布号 | TW200931516 | 申请公布日期 | 2009.07.16 |
申请号 | TW097141022 | 申请日期 | 2008.10.24 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 八田浩一;西村荣一 |
分类号 | H01L21/3065(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |