使用虚拟记忆胞以增加电荷陷入记忆体阵列之资料可靠度的非挥发性记忆体元件

摘要

一种电荷陷入快闪记忆体元件，包括具有电荷陷入记忆胞之至少第一页的快闪记忆体阵列，其电性连接至第一字元线。电荷陷入记忆胞的第一页包括数个可寻址的记忆胞，其被组态以储存在读取操作时被取回的资料，以及包括数个立即邻接之非可寻址虚设记忆胞，其被组态以储存在读取操作中不可被取回的虚设资料。上述虚设记忆胞包括至少一个辅助虚设记忆胞，以作为在阵列之电荷陷入层中水平电洞传递的缓存区。