非挥发性半导体记忆装置及其制造方法

摘要

本发明系使非挥发性半导体记忆装置高积集化及高可靠度化。将复数记忆胞形成于深于井(p型半导体区域102)，且被在Y方向延伸之复数元件分离(氧化矽膜103)所划分之复数有效区域。在各记忆胞中，以贯通源极扩散层(n#sP!+#eP!型半导体区域115)之方式在井(p型半导体区域102)设置有接点116，电性连接位元线(金属布线117)与源极扩散层(n#sP!+#eP!型半导体区域115)之接点116亦与井(p型半导体区域102)电性连接。