非挥发性半导体记忆体及其制造方法

摘要

本发明揭示一种本发明之一态样之非挥发性半导体记忆体，其包含：一含有一有机物质的第一元件隔离绝缘膜，其包围一第一区域；一配置于该第一区域中的记忆体单元；一含有一有机物质的第二元件隔离绝缘膜，其包围一第二区域；一配置于该第二区域中的周边电晶体；及一沿该第二元件隔离绝缘膜之一侧表面设置于半导体基板中的第一杂质层。