利用高Ｋ金属闸极堆叠以致能多重定限电压装置的技术

摘要

提供结合彼此具有不同临界电压需求之电晶体之技术。于一方面，半导体装置包含：基板，具有至少一第一与第二nFET区域以及至少一第一与第二pFET区域；逻辑nFET于基板之第一nFET区域；逻辑pFET于基板之第一pFET区域；SRAM nFET于基板之第二nFET区域；以及SRAM pFET于基板之第二pFET区域，各包含一闸极堆叠，具有金属层于高K层上。逻辑nFET闸极堆叠更包含帽盖层，将金属层与高K层分开，其中帽盖层更用以相对于逻辑pFET、SRAM nFET、以及SRAM pFET中之一或更多个之临界电压，偏移逻辑nFET之临界电压。