| 摘要 |
本发明揭示一种制造一半导体装置的方法，其包括：在一半导体基板之上形成一绝缘膜，该半导体基板具有一凹部与形成于除该凹部以外的半导体基板之上的停止膜，藉此以该绝缘膜来填充该凹部；藉由经由使用含有氧化铈与第一阴离子表面活性剂之一第一抛光液体之一化学机械抛光方法抛光该绝缘膜来执行一第一抛光，藉此获得一平坦化表面；以及藉由在不同于该第一抛光之一抛光条件下使用含有氧化铈与具有比该第一阴离子表面活性剂之分子量小的分子量之一第二阴离子表面活性剂之一第二抛光液体抛光该平坦化的绝缘膜来执行一第二抛光，藉此曝露该停止膜。 |
