非挥发性半导体记忆装置

摘要

本发明之目的在于提供一种能够减少多值写入所必要的验证动作，缩短写入动作所需时间之非挥发性半导体记忆装置。该非挥发性半导体记忆装置中之写入控制电路WRC，系对各记忆胞进行检测是否处于特定之验证位准的验证，且对于以大于特定之验证位准之电压位准写入之记忆胞，将验证后进行之写入次数记忆于锁存电路LATA、LATB。其后，每次进行藉由写入电压之写入时，更新锁存电路LATA、LATB所记忆之写入次数。然后，于进行写入次数的藉由写入电压之写入后，藉由低于写入电压之中间电压进行写入。