半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置具有一半导体晶片及穿过该半导体晶片所形成之贯穿电极。在该半导体晶片之相对于第一表面(主表面)的第二表面上经由一由SiO#sB!2#eB!或SiN所形成之无机绝缘层设置一连接至该贯穿电极之接地层及一连接至该贯穿电极之平板天线。