形成含矽膜的方法

摘要

一种形成含矽膜的方法，其包括在反应室中提供基板，将至少一种含矽化合物注入该反应室中；将至少一种气态共反应物注入该反应室中；并使该基板、含矽化合物及气态共反应物在等于或低于550℃之温度下反应，以获得沉积在该基板上的含矽膜。一种制备氮化矽膜的方法包括将矽晶圆引入反应室中；将含矽化合物引入该反应室中；以惰性气体冲洗该反应室；以及在适合于该矽晶圆上形成单分子层氮化矽膜的条件下将气态含氮共反应物引入该反应室中。