发明名称 掉电记忆保护方法
摘要 本发明提供了一种掉电记忆保护方法,应用于掉电记忆保护电路中,该掉电记忆保护电路包括CPU、可擦写式存储器、电源电路以及外围接口,上电后CPU循环地将数据包写入可擦写式存储器的数据区域及在可擦写式存储器的标志区域做相关记录,并在掉电后通过标志区域的记录查找存储在数据区域中的最新数据包,该方法包括上电后数据的循环存储过程和掉电后数据的回溯过程。本发明将数据循环存储到可擦写式存储器,并在第二次开机后通过回溯方式,查找到断电前的最新数据信息,且在待机或者断电状态不需要使用备用电源,具有能够记忆大量信息且功耗少等优点。
申请公布号 CN101482840A 申请公布日期 2009.07.15
申请号 CN200910105019.1 申请日期 2009.01.13
申请人 TCL通力电子(惠州)有限公司 发明人 徐晓春
分类号 G06F11/14(2006.01)I 主分类号 G06F11/14(2006.01)I
代理机构 广东国晖律师事务所 代理人 欧阳启明
主权项 1、掉电记忆保护方法,应用于掉电记忆保护电路中,该掉电记忆保护电路包括CPU、可擦写式存储器、电源电路以及外围接口,其特征在于上电后CPU循环地将数据包写入可擦写式存储器的数据区域及在可擦写式存储器的标志区域做相关记录,并在掉电后通过标志区域的记录查找存储在数据区域中的最新数据包,该方法包括上电后数据的循环存储过程和掉电后数据的回溯过程。
地址 518057广东省深圳市南山区高新南一路TCL大厦A座10楼
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