发明名称 无损伤原位构建纳米结点的方法
摘要 本发明涉及一种纳米技术领域的无损伤原位构建纳米结点的方法,步骤为:对单壁碳纳米管进行纯化;用旋涂的方法将单壁碳纳米管沉积到硅基底上,加热后除去有机表面活性剂;采用原子力显微镜探针,蘸取金属前躯体后,在轻敲模式对分散在基底上的纳米管的成像,选择焊接区域并记录图像,缩小扫描范围,将中心定在需要焊接处,打开负抬高模式,使探针同时在两种模式下运作,选择负抬高模式操作时间控制纳米结点的尺寸,操纵完毕后关闭抬高模式,扩大扫描范围,在轻敲模式下对所焊的纳米结合点进行成像并记录,扫描和操纵均是同一根探针。本发明具有纳米结点尺寸可控,定位准确、无损伤和无污染等特点。
申请公布号 CN101481086A 申请公布日期 2009.07.15
申请号 CN200910045964.7 申请日期 2009.01.22
申请人 上海交通大学 发明人 郭守武;沈广霞;陆怡卿
分类号 B82B3/00(2006.01)I 主分类号 B82B3/00(2006.01)I
代理机构 上海交达专利事务所 代理人 王锡麟;王桂忠
主权项 1、一种无损伤原位构建纳米结点的方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步、采用十二烷基苯磺酸钠对单壁碳纳米管进行纯化;第二步、用旋涂的方法将单壁碳纳米管沉积到硅基底上,加热后除去十二烷基苯磺酸钠;第三步,采用原子力显微镜探针,蘸取焊锡后,在轻敲模式对分散在基底上的纳米管的成像,选择焊接区域并记录图像,缩小扫描范围,将中心定在需要焊接处,打开负抬高模式,使探针同时在两种模式下运作,根据要焊接处的尺寸选择负抬高模式操作时间控制纳米结点的尺寸,操纵完毕后关闭抬高模式,扩大扫描范围,在轻敲模式下对所焊的纳米结合点进行成像并记录,扫描和操纵均是同一根探针。
地址 200240上海市闵行区东川路800号