发明名称 图像传感器及其制造方法
摘要 本发明的实施例涉及图像传感器及其制造方法。图像传感器包括:第一衬底、绝缘层、光电二极管以及通路插塞件。包括互联件的电路可以在第一衬底上形成。在第一衬底上形成绝缘层,使得该绝缘层覆盖互联件。在晶体半导体层中形成光电二极管,然后使该光电二极管与第一衬底键合,并接触绝缘层。通过去除光电二极管和绝缘层的部分来暴露互联件的上部以形成通路孔,并对该通路孔填充传导性金属来提供通路插塞件。通路插塞件将光电二极管与互联件电连接。
申请公布号 CN101483184A 申请公布日期 2009.07.15
申请号 CN200810188811.3 申请日期 2008.12.26
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 黄俊
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 朱 胜;王 萍
主权项 1. 一种图像传感器,包括:在第一衬底上的包括互联件的电路;在互联件上的绝缘层;与第一衬底键合并与绝缘层接触的光电二极管;以及在光电二极管的通路孔的一部分中的通路插塞件,其使光电二极管与互联件电连接。
地址 韩国首尔