双端口静态随机存取存储器单元

摘要

本发明公开了一种双端口SRAM(静态随机存取存储器)单元，它能够同时读写，互不冲突，并且缩减了器件尺寸。为此，双端口SRAM单元包括：写入区，具有一个晶体管，用于根据来自字线的控制信号，输入来自位线的数据输入信号；数据存储区，包括3个晶体管，用于通过所述写入区存储来自外部的数据输入信号；以及读取区，包括两个晶体管，用于根据来自公共线的控制信号，读取所述数据存储区中存储的数据输入信号。

主权项

1、一种双端口静态随机存取存储器单元，包括：写入区，具有一个晶体管，用于根据来自字线的控制信号，输入来自位线的数据输入信号；数据存储区，包括三个晶体管，用于通过所述写入区存储来自外部的数据输入信号；以及读取区，包括两个晶体管，用于根据来自公共线的控制信号，读取所述数据存储区中存储的数据输入信号；其中，所述写入区具有第一晶体管，所述第一晶体管的栅极和所述字线相耦接，所述第一晶体管的一个端口和一根位线相连，所述第一晶体管的另一端口和所述数据存储区耦接；所述数据存储区包括：第二晶体管，其栅极与所述第一晶体管的另一端口上的第一节点相耦接，漏极和源极分别与第一供电电压以及第二节点相连；第三晶体管，其栅极和所述第二节点相连，漏极和源极分别与所述第一节点和第二供电电压相耦接；以及第四晶体管，其栅极和所述第一节点相连，漏极和源极分别与所述第二节点和所述第二供电电压相耦接；所述读取区包括：第五晶体管，其栅极与所述第二节点相耦接，漏极和源极分别与第三节点和所述第二供电电压相连；以及第六晶体管，其栅极和公共线相连，漏极和源极分别耦接到承载待读出数据的数据线和所述第三节点。