| 发明名称 | 一次写入型蓝光存储无机介质及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一次写入型蓝光存储无机介质及其制备方法，该一次写入型蓝光存储无机介质是由锑Sb和硅Si通过反应磁控溅射法在衬底上制备的Sb-Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SiO<sub>2</sub>复合薄膜，包括Sb、Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和SiO<sub>2</sub>三种成分，其中Sb的摩尔百分比为10％～70％，Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的摩尔百分比为10％～40％，SiO<sub>2</sub>的摩尔百分比为20％～80％。本发明的采用反应磁控溅射法制备的蓝光存储无机介质在激光作用前后具有高的光学对比度和稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN100514465C | 申请公布日期 | 2009.07.15 |
| 申请号 | CN200710039856.X | 申请日期 | 2007.04.24 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 周莹;耿永友;顾冬红;朱青;蒋志 |
| 分类号 | G11B7/243(2006.01)I;G11B7/26(2006.01)I | 主分类号 | G11B7/243(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一次写入型蓝光存储无机介质，其特征在于它是由锑Sb和硅Si通过反应磁控溅射法在衬底上制备的Sb-Sb2O3-SiO2复合薄膜，包括Sb、Sb2O3和SiO2三种成分，其中Sb的摩尔百分比为10％～70％，Sb2O3的摩尔百分比为10％～40％，SiO2的摩尔百分比为20％～80％。 | ||
| 地址 | 201800上海市800-211邮政信箱 | ||