发明名称 一种利用高温气-固反应制备高纯度硅的方法
摘要 本发明公开了一种利用高温气-固反应制备高纯度硅的方法,包括以下步骤:(1)取低纯硅进行破碎处理,然后进行筛分;(2)将破碎好的硅料放入高温固相反应炉中,抽真空到1.0×10<sup>-1</sup>~1.0×10<sup>-4</sup>Pa以除去炉内大部分的空气,接着用惰性气体对炉内进行置换以除去炉内空气,然后将硅料升到800℃~1412℃,再充入活性气体,进行气-固反应;(3)将步骤(2)处理后的硅料进行清洗,即得高纯硅产品。本发明方法采用气-固反应制备高纯度硅,生产效率高,设备投资少,能耗低,产能大,对环境影响比较小,成本低,产品纯度高,能一步到位的制备出太阳能电池行业用高纯硅。
申请公布号 CN101481111A 申请公布日期 2009.07.15
申请号 CN200910036965.5 申请日期 2009.01.23
申请人 晶海洋半导体材料(东海)有限公司 发明人 黄新明;张永欣;邝亚镭;郭宽新
分类号 C01B33/037(2006.01)I 主分类号 C01B33/037(2006.01)I
代理机构 广州知友专利商标代理有限公司 代理人 李海波
主权项 1、一种利用高温气-固反应制备高纯度硅的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)取低纯硅进行破碎处理,然后进行筛分;(2)将破碎好的硅料放入高温固相反应炉中,抽真空到1.0×10-1~1.0×10-4Pa以除去炉内大部分的空气,接着用惰性气体对炉内进行置换以除去炉内空气,然后将硅料升到800℃~1412℃,再充入活性气体,进行气-固反应;(3)将步骤(2)处理后的硅料进行清洗,即得高纯硅产品。
地址 222300江苏省连云港市东海经济开发区西区光明路1号