发明名称 |
一种利用高温气-固反应制备高纯度硅的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种利用高温气-固反应制备高纯度硅的方法,包括以下步骤:(1)取低纯硅进行破碎处理,然后进行筛分;(2)将破碎好的硅料放入高温固相反应炉中,抽真空到1.0×10<sup>-1</sup>~1.0×10<sup>-4</sup>Pa以除去炉内大部分的空气,接着用惰性气体对炉内进行置换以除去炉内空气,然后将硅料升到800℃~1412℃,再充入活性气体,进行气-固反应;(3)将步骤(2)处理后的硅料进行清洗,即得高纯硅产品。本发明方法采用气-固反应制备高纯度硅,生产效率高,设备投资少,能耗低,产能大,对环境影响比较小,成本低,产品纯度高,能一步到位的制备出太阳能电池行业用高纯硅。 |
申请公布号 |
CN101481111A |
申请公布日期 |
2009.07.15 |
申请号 |
CN200910036965.5 |
申请日期 |
2009.01.23 |
申请人 |
晶海洋半导体材料(东海)有限公司 |
发明人 |
黄新明;张永欣;邝亚镭;郭宽新 |
分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
代理机构 |
广州知友专利商标代理有限公司 |
代理人 |
李海波 |
主权项 |
1、一种利用高温气-固反应制备高纯度硅的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)取低纯硅进行破碎处理,然后进行筛分;(2)将破碎好的硅料放入高温固相反应炉中,抽真空到1.0×10-1~1.0×10-4Pa以除去炉内大部分的空气,接着用惰性气体对炉内进行置换以除去炉内空气,然后将硅料升到800℃~1412℃,再充入活性气体,进行气-固反应;(3)将步骤(2)处理后的硅料进行清洗,即得高纯硅产品。 |
地址 |
222300江苏省连云港市东海经济开发区西区光明路1号 |