| 发明名称 | 半导体存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体存储装置及其制造方法。包括铁电存储器(102)的半导体存储装置(10)还包括在高温下保持数据的能力比铁电存储器(102)在高温下保持数据的能力强的非易失性存储器(103)，以及进行切换而使铁电存储器(102)及非易失性存储器(103)互相连接或者不连接的连接电路(104)。铁电存储器(102)通过连接电路(104)接收并保持已写入非易失性存储器(103)中的、该装置特有的数据的至少一部分。因此，能够防止已写入铁电存储器中的信息通过铁电存储器的制造工序中的加热处理消失。 | ||
| 申请公布号 | CN101483063A | 申请公布日期 | 2009.07.15 |
| 申请号 | CN200810160828.8 | 申请日期 | 2008.09.16 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 中尾良昭;五宝靖;岩成俊一;村久木康夫;松浦正则 |
| 分类号 | G11C11/22(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1. 一种半导体存储装置，包括铁电存储器，其特征在于：所述半导体存储装置还包括：非易失性存储器，在高温下保持数据的能力比所述铁电存储器在高温下保持数据的能力强，和连接电路，进行切换而使所述铁电存储器及所述非易失性存储器互相连接或者不连接；所述铁电存储器通过所述连接电路接收并保持已写入所述非易失性存储器中的、该装置特有的数据的至少一部分。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||