发明名称 |
发光器件 |
摘要 |
本发明涉及一种发光器件。本发明的目的是提供一种在不使TFT的工艺复杂化的情况下可以实现面板上载系统,并且抑制成本的发光器件。本发明的发光器件的特征是:在像素部分中提供包括发光元件和控制施加给该发光元件的电流的TFT的像素,驱动电路包括的TFT和控制施加给该发光元件的电流的TFT包括:栅电极和形成在该栅电极上的栅绝缘膜;中间夹所述栅绝缘膜和所述栅电极重叠的第一半导体膜;在该第一半导体膜上形成的一对第二半导体膜,其中,所述一对的第二半导体膜中掺杂有赋予一个导电型的杂质,且所述第一半导体膜由半晶半导体形成。 |
申请公布号 |
CN101483181A |
申请公布日期 |
2009.07.15 |
申请号 |
CN200910009687.4 |
申请日期 |
2004.07.14 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;G09G3/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张雪梅;蒋 骏 |
主权项 |
1. 一种半导体显示器件,包括:形成在衬底上的栅电极;形成在栅电极上的栅绝缘膜;形成在栅电极上包括半晶硅的第一半导体层,在该栅电极和该第一半导体层之间夹所述栅绝缘膜;形成在第一半导体层上的第二半导体层,其中所述第二半导体层用作缓冲层;形成在第一半导体层上具有n型导电型的一对第三半导体层,在该第一半导体层和该对第三半导体层之间夹所述第二半导体层;形成在该对第三半导体层之一上的第一导电层;以及形成在该对第三半导体层的另一个上的第二导电层。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |