一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法

摘要

本发明提供了一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其在一具有反应腔的化学气相沉积设备中进行。现有技术中在化学气相沉积设备中沉积预设数量的晶圆后仅通过等离子体清洗工艺清洗反应腔，无法去除反应腔中较小直径的颗粒而使该颗粒在绝缘介质中形成缺陷，该缺陷会影响器件的良率和可靠性。本发明首先将晶圆设置在反应腔中沉积绝缘介质；接着判断化学气相沉积设备是否满足清洗条件，并在否时继续在反应腔中沉积氮化硅，而在是时进行等离子体清洗工艺清洗该反应腔；最后对该反应腔进行惰性气体吹扫工艺，之后又可在反应腔中沉积绝缘介质。本发明可避免绝缘介质中出现因反应腔中小直径颗粒所引起的缺陷，并可大大提高器件的良率和可靠性。

主权项

1、一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其在一具有反应腔的化学气相沉积设备中进行，该方法包括以下步骤：a、将晶圆设置在反应腔中沉积该绝缘介质；b、判断化学气相沉积设备是否满足清洗条件，若是则继续步骤c，若否则返回步骤a；c、进行等离子体清洗工艺清洗该反应腔；其特征在于，该方法还包括以下步骤：d、对该反应腔进行惰性气体吹扫工艺，接着返回步骤a。