消除DKDP晶体电光开关内反向电场影响的方法

摘要

本发明提供了一种消除DKDP晶体电光开关内反向电场影响的方法。该方法是将DKDP晶体电光开关内加在晶体两端的电极宽度都探出晶体端部一部分，探出部分的电极宽度大于或等于每端整个电极宽度的1/4。这样在反向电场区域没有晶体，那么即使存在反向电场，也不会对电光效应产生相反的作用。本发明将DKDP晶体电光开关内加在晶体两端的电极宽度的一部分探出晶体端部，使反向电场区域没有晶体，消除了电光晶体内反向电场对电光效应影响，反向电场不会对电光效应产生相反的作用。

主权项

1. 一种消除DKDP晶体电光开关内反向电场影响的方法，其特征在于：该方法是将DKDP晶体电光开关内加在晶体两端的电极宽度都探出晶体端部一部分，探出部分的电极宽度等于每端整个电极宽度的1/4。