用于半导体微影制程的系统与方法

摘要

本发明是有关于一种用于半导体制程的光微影方法，包含提供一基材当作一晶圆，以及提供一光罩来曝光此晶圆。此晶圆是使用一种组合高角度照明方法及焦点漂移曝光方式来进行曝光。利用这种整合高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的光微影制程，可以降低邻近效应，并增加焦点深度。

主权项

1、一种半导体制造方法，其特征在于该制造方法包含：提供一基材；覆盖一光阻层于该基材之上；提供一光罩以图案化该光阻层；利用一高角度照明方法曝光该光阻层，其中该高角度照明方法包括滤光出一第一区域，其中该第一区域位于一照明区域中，且该第一区域具有一光穿透率在20％到100％之间；以及利用一焦点漂移曝光方法曝光该光阻层，其中该焦点漂移曝光方法包括倾斜用以曝光的该光罩，倾斜用以曝光的该基材以及对该光阻层进行至少两次的曝光。