| 发明名称 | 带有凹槽状第二触点区域的功率半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一种功率半导体元件及2种制造该功率半导体元件的方法。该半导体元件带有一个经过第一掺杂的半导体基体和一个pn结，它是通过一个经过第二掺杂的触点区域与在该基体中形成的掺杂轮廓所构成的。这里第二触点区域处于基体的第二表面上并且延伸扩张到基体体积内部。另外这里用于第二触点区域的基体具有一个凹槽状的空隙，带有一个侧面和一个底面，这里该底面是作为第二表面的第二部分面而形成的，第二触点区域从底面开始延伸扩张，经过侧面直至第一部分面。另外这里的pn结在与侧面相邻处具有一个曲率。 | ||
| 申请公布号 | CN101483196A | 申请公布日期 | 2009.07.15 |
| 申请号 | CN200810189572.3 | 申请日期 | 2008.12.19 |
| 申请人 | 塞米克朗电子有限及两合公司 | 发明人 | B·柯尼希 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 赵 冰 |
| 主权项 | 1. 一种功率半导体元件，带有一个经过第一掺杂的半导体基体(2，4)，一个在该基体中形成的并且与第一掺杂的区域一起构成pn结(126)的第二触点区域(12)，其经过第二掺杂形成掺杂轮廓(120)，其中第二触点区域(12)位于基体的第二表面(10)上，并且延伸扩张到基体体积内部，并且其中用于第二触点区域(12)的基体(2，4)具有一个凹槽状的空隙(24)，带有一个侧面(124)和一个底面(122)，其中该底面(122)是作为第二表面(10)的第二部分面而形成的，其中第二触点区域(12)从底面(122)开始延伸扩张，经过侧面(124)直至第一部分面(10a)，并且其中pn结(126)在与侧面(124)相邻处具有一个曲率(128)。 | ||
| 地址 | 德国纽伦堡 | ||