生产有机场效应晶体管的方法

摘要

本发明涉及一种生产有机场效应晶体管的方法，其包括如下步骤：a)提供包含位于衬底上的栅极结构、源极和漏极的衬底，和b)向其中具有栅极结构、源极和漏极的衬底区域施加n-型有机半导体化合物，其中n-型有机半导体化合物选自式(I)化合物：其中R¹、R²、R³和R⁴独立地为氢、氯或溴，条件是这些基团中的至少一个不为氢，Y¹为O或NR^a，其中R^a为氢或有机基团，Y²为O或NR^b，其中R^b为氢或有机基团，Z¹、Z²、Z³和Z⁴为O，其中在Y¹为NR^a的情况下，基团Z¹和Z²之一可为NR^c基团，其中R^a和R^c一起为在末端键之间具有2-5个原子的桥连基团，其中在Y²为NR^b的情况下，基团Z³和Z⁴之一可为NR^d基团，其中R^b和R^d一起为在末端键之间具有2-5个原子的桥连基团。

主权项

1.一种生产有机场效应晶体管的方法，其包括如下步骤：a)提供包含位于衬底上的栅极结构、源极和漏极的衬底，和b)向其中具有栅极结构、源极和漏极的衬底区域施加n-型有机半导体化合物，其中该n-型有机半导体化合物选自式I化合物：其中R¹、R²、R³和R⁴独立地为氢、氯或溴，条件是这些基团中的至少一个不为氢，Y¹为O或NR^a，其中R^a为氢或有机基团，Y²为O或NR^b，其中R^b为氢或有机基团，