半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，在现有的功率MOSFET中，由于在元件部产生击穿，在保护环结束，故存在击穿位置移动，产生击穿电压不稳定的蠕变现象的问题。在本发明中，在包围元件部的元件外周部形成npn结或pin结，施加与元件部的源极电极相同的电位，使元件外周部的击穿电压通常比元件部的击穿电压低。或者，降低元件外周部的电阻。由此，击穿通常在元件外周部产生，击穿电压稳定。并且，由于在脆弱的栅极氧化膜不产生击穿，从而防止击穿引起的破坏。另外，由于电阻变低，故静电破坏承受力提高。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，具有：元件部，其具有构成漏极区域的第一导电型半导体衬底、设于所述衬底表面上的与第一导电型相反的第二导电型沟道层、介由绝缘膜与所述沟道层相接而设置的栅极电极、设于与所述栅极电极邻接的所述沟道层表面上的第一导电型源极区域、以及与所述沟道层端部接触地设置的第二导电型保护环；元件外周部，其包围所述元件部的外周；第二导电型周边区域，其设于所述元件外周部；第一电极，其与所述元件部的所述源极区域接触；第二电极，其设于所述周边区域上，与所述元件外周部电连接；栅极连接电极，配置在所述保护环上并与所述栅极连接，将所述第一电极和所述第二电极电连接，将漏极-源极间的击穿位置诱导至所述元件外周部；所述第二导电型保护环的杂质浓度高于所述沟道层的杂质浓度。