发明名称 |
记忆体单元、记忆体单元程式化方法、记忆体单元读取方法、记忆体单元操作方法及记忆体装置 |
摘要 |
所揭示实施例包含记忆体单元操作方法、记忆体程式化方法、记忆体单元读取方法、记忆体单元及记忆体装置。于一项实施例中,一记忆体单元包含一字线、一第一位元线、一第二位元线及一记忆体元件。该记忆体元件电连接至该字线且有选择地电连接至该第一位元线及该第二位元线。该记忆体元件经由该记忆体元件之一电阻状态储存资讯。该记忆体单元经组态以经由自该第一位元线透过该记忆体元件流向该字线之一第一电流或自该字线透过该记忆体元件流向该第二位元线之一第二电流传达该记忆体元件之电阻状态。 |
申请公布号 |
TW200931433 |
申请公布日期 |
2009.07.16 |
申请号 |
TW097147549 |
申请日期 |
2008.12.05 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
刘峻 |
分类号 |
G11C7/12(2006.01);H01L27/24(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/12(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
陈长文 |
主权项 |
|
地址 |
美国 |