薄膜晶体管阵列的制造方法及其结构

摘要

一种薄膜晶体管阵列的制造方法，其包含以下步骤。提供基板，该基板上形成有栅电极层、栅绝缘层与硅层。对该栅电极层、该栅绝缘层与该硅层进行图案化，以定义出栅极区、栅极线与栅极线接线区。形成保护层于整个基板上。对保护层进行图案化，以使在保护层中且位于栅极区的该硅层上形成两个接触窗，并且移除栅极线上部分区域的保护层与栅极线接线区上的保护层。形成离子布植层与金属层于整个该基板上。对离子布植层与金属层进行图案化，以形成源极区、漏极区、数据线、数据线接线区与第二层栅极线接线区。形成像素电极于保护层上并且与漏极区电连接。通过此方法，只需要四道光刻掩膜便可以制造出薄膜晶体管阵列。

主权项

1. 一种薄膜晶体管阵列的制造方法，其特征是包括：提供基板，该基板上形成有栅电极层、栅绝缘层与硅层；对该栅电极层、该栅绝缘层与该硅层进行图案化，以定义出栅极区、栅极线与栅极线接线区；形成保护层于整个该基板上；对该保护层进行图案化，以使在该保护层中且位于该栅极区的该硅层上形成两个接触窗，并且移除部分该栅极线上的该保护层与该栅极线接线区上的该保护层；形成离子布植层与金属层于整个该基板上；对该离子布植层与该金属层进行图案化，以形成源极区、漏极区、数据线、数据线接线区与第二层栅极线接线区；以及形成像素电极于该保护层上并且与该漏极区电连接；其中，该栅极线接线区由该栅电极层、该栅绝缘层、该硅层、该离子布植层与该金属层堆叠而形成；该栅电极层、该栅绝缘层与该硅层构成堆叠结构，而该离子布植层与该金属层覆盖所述堆叠结构，且该离子布植层与该金属层电性连接到该栅电极层的侧壁。