一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法

摘要

一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法，涉及一种p型氮化镓(p-GaN)。提供一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法。将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室，在H₂气氛下对衬底热处理，降温对衬底氮化处理；降温生长GaN缓冲层，升温使GaN缓冲层重新结晶；外延生长GaN层；降温生长掺镁GaN层；再降温生长5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层；在5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层上再生长p-InGaN盖层。结果表明采用p-InGaN/p-AlGaN超晶格作顶层可以获得更低的比接触电阻。

主权项

1. 一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法，其特征在于其步骤为：1)将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室，在载气H2气氛下，1000～1100℃高温下对衬底热处理5～15min，降温到500～1000℃对衬底氮化处理60～150s；2)降至530～570℃生长厚度为15～30nm的GaN缓冲层，随后升温到1030～1050℃恒温5～15min，使GaN缓冲层重新结晶，生长GaN缓冲层的压力为200～650Torr，TMGa流量为20～120μmol/min，NH3流量为80～120mol/min；3)在1000～1100℃外延生长1.5～2μmGaN层，生长GaN层的压力为100～200Torr，TMGa流量为50μmol/min，NH3流量为120～500mol/min，Cp2Mg为140nmol/min；4)将温度降到800～950℃生长掺镁GaN层，掺镁GaN层的厚度为500～900nm，生长时间为15～30min，生长掺镁GaN层的压力为100～200Torr，TMGa流量为50μmol/min，NH3流量为120～500mol/min，Cp2Mg为140nmol/min；5)再降温生长5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层的总厚度为20～35nm，5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层的p-InGaN层、p-AlGaN层的厚度分别为2～5nm、2～7nm，生长5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层的压力为300～400Torr，NH3流量为120～500mol/min，p-InGaN的TMGa流量为5～8μmol/min，TMIn流量为100～200μmol/min，Cp2Mg为100nmol/min；p-AlGaN的TMGa流量为5～8μmol/min，TMAl流量为5～10μmol/min，Cp2Mg为260μmol/min；6)在5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层上再生长p-InGaN盖层，p-InGaN盖层的厚度为2～3nm。