生产半导体器件的方法和由该方法获得的器件

摘要

本发明涉及生产半导体器件的方法，该半导体器件包括在单反应室内的至少一层用掺杂剂掺杂的层和一层沉积在所述掺杂层上的另一类型的层。通过避免所述另一层被掺杂剂污染的操作，隔开这些层的沉积步骤。有利地，所述操作包括计量供给反应室一种能与掺杂剂反应的化合物。

主权项

1. 一种在单反应室内生产半导体器件的方法，该半导体器件包括至少一层p-掺杂或n-掺杂的层和一层沉积在所述掺杂层上的固有类型的层，其中通过计量供给反应室一种含水、甲醇、异丙醇、其它醇、氨、肼或挥发性有机胺的蒸汽或气体作为能与掺杂剂反应的化合物以避免所述固有类型的层被掺杂剂污染的操作，隔开所述层的沉积步骤。