| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了制造在其衬底表面上设置有非外延薄膜的半导体结构的方法和由此形成的半导体结构。该方法提供了无定形和/或多晶材料的选择性非外延生长(SNEG)或沉积以在其表面上形成薄膜。该表面可以是非晶电介质材料或结晶材料。通过仔细选择前体-载体-蚀刻剂比率，非晶电介质上的SNEG还提供了无定形/多晶材料在氧化物上方的氮化物上的选择性生长。非外延薄膜形成可合并到任何前端制程(FEOL)制造工艺中的最终和/或中间半导体结构。这种最终/中间结构可用于，例如但不限制于：源-漏制造；硬掩模加强；间隔物加宽；高纵横比(HAR)通孔填充；微电子微机械系统(MEMS)制造；FEOL电阻器制造；浅沟道隔离(STI)和深沟道的加衬；关键尺寸(CD)调节和覆层。 | ||
| 申请公布号 | CN101483189A | 申请公布日期 | 2009.07.15 |
| 申请号 | CN200910001718.1 | 申请日期 | 2009.01.06 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 托马斯·N·亚当;A·B·查克拉瓦尔蒂;E·C·T·哈雷;J·R·霍尔特 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 1. 一种半导体结构，包括：设置在衬底上的第一电介质结构；接近于所述第一电介质结构设置的第二电介质结构；和从一表面延伸的薄膜，该表面是从由所述衬底、所述第一电介质结构、所述第二电介质结构和它们的组合所组成的组中选择的，其中该薄膜是从由单晶材料、无定形材料、多晶材料和它们的组合所组成的组中选择的。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||