| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种在确保高耐压元件的高耐压特性的同时使高耐压元件和低耐压元件具有良好特性的半导体装置。具有高耐压元件和低耐压元件的半导体装置包含：规定了形成高耐压元件的高耐压元件区和形成低耐压元件的低耐压元件区的半导体衬底；在该高耐压元件区设置的第一LOCOS隔离结构；以及在该低耐压元件区设置的第二LOCOS隔离结构。第一LOCOS隔离结构由在该半导体衬底的表面上形成的LOCOS氧化膜和其上形成的CVD氧化膜构成，第二LOCOS隔离结构由LOCOS氧化膜构成。 | ||
| 申请公布号 | CN100514648C | 申请公布日期 | 2009.07.15 |
| 申请号 | CN200710006351.3 | 申请日期 | 2007.01.31 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 立宅聪;清水和宏 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥夌;刘宗杰 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，其特征在于，它是具有高耐压元件和耐压比高耐压元件低的低耐压元件的半导体装置，包含：规定了形成该高耐压元件的高耐压元件区和形成该低耐压元件的低耐压元件区的半导体衬底；在该高耐压元件区设置的第一LOCOS隔离结构；以及在该低耐压元件区设置的第二LOCOS隔离结构，该第一LOCOS隔离结构由在该半导体衬底的表面上形成的LOCOS氧化膜和其上形成的CVD氧化膜构成，该第二LOCOS隔离结构由LOCOS氧化膜构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||