发明名称 等离子体处理装置和方法
摘要 一种等离子体处理装置,使微波通过在矩形波导管的下面形成的多个缝隙,并在配置在处理室的上面的介电体中传播,利用在介电体表面形成的电磁场中的电场能量,使供给至处理室内的规定气体等离子体化,对基板实施等离子体处理。矩形波导管的上面部件由具有导电性的非磁性材料构成,并且,使该上面部件相对于下面升降移动。根据气体种类、压力、微波供给装置的功率输出等处理室内进行的等离子体处理的条件,通过使矩形波导管的上面部件相对于下面升降移动,管内波长发生变化。
申请公布号 CN100514554C 申请公布日期 2009.07.15
申请号 CN200710089461.0 申请日期 2007.03.23
申请人 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 发明人 堀口贵弘;平山昌树;大见忠弘
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;C23C16/511(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H01J37/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人 龙 淳
主权项 1. 一种等离子体处理装置,使微波通过在矩形波导管的下面形成的多个缝隙,并在配置在处理室上面的介电体中传播,利用在介电体表面形成的电磁场中的电场能量,使供给至处理室内的规定气体等离子体化,对基板实施等离子体处理,其特征在于:所述矩形波导管的上面部件由具有导电性的非磁性材料构成,并且该上面部件构成为能够相对于所述矩形波导管的下面升降移动。
地址 日本东京都