操作存储器的方法及其非挥发性存储器

摘要

本发明是有关于一种操作存储器的方法及其非挥发性存储器。本发明提供一种氮化物快闪存储器的操作方法。该操作方法包括在常规程序化操作步骤之前预先执行干扰减少操作。藉由目标记忆胞的偏压配置，在程序化之前将电荷注入记忆胞接面上方的电荷捕获层中，以重设由耦合干扰问题引起的影响。本发明的操作方法不但可以减少耦合干扰，而且能够提供较宽的操作窗口。

主权项

1、一种操作存储器的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一选定记忆胞，其具有包含一电荷捕获层的一栅极位于一基底上、一源极与一漏极；藉由将栅极电压施加于选定记忆胞的所述栅极、将源极电压以及漏极电压分别施加于所述源极与漏极，以及将基底电压施加于所述基底，而使定量的电荷注入所选定记忆胞接面区上方的所述电荷捕获层中，但不足以改变所选定记忆胞的逻辑状态；以及程序化所述选定记忆胞。