发明名称 快速热处理过程中控制半导体晶片的热梯度的方法和结构
摘要 本发明公开了快速热处理过程中控制半导体晶片的热梯度的方法和结构。一种物件在热处理过程中支撑工件。至少三个例如支撑钉的延长的支撑构件从例如支撑工件的支撑臂的元件延伸。每个支撑构件包括邻接工件的第一部分。第二部分自第一部分向下延伸。第一部分可以具有比工件的热响应快的热响应,第二部分可以具有较慢的热响应。可拆卸元件可以安装至支撑构件,以调节支撑构件的热响应。采用可拆卸元件,支撑构件可以调节为不引起至或自工件的净剩热传输。
申请公布号 CN101483147A 申请公布日期 2009.07.15
申请号 CN200910002034.3 申请日期 2009.01.08
申请人 国际商业机器公司 发明人 拉希德·J·贝扎马;刘易斯·S·戈德曼;唐纳德·R·沃尔
分类号 H01L21/687(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I 主分类号 H01L21/687(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 张 波
主权项 1、一种在热处理过程中支撑工件的物件,包括:第一元件,调整为支撑所述工件的重量;和至少三个延长的支撑构件,在所述第一元件上方从支撑所述工件的所述第一元件向上延伸,每个所述支撑构件都包括(i)第一部分,邻接所述工件,所述第一部分具有比所述工件的热响应快的第一热响应,和(ii)第二部分,从所述第一部分向下延伸,所述第二部分具有比所述工件的所述热响应慢的第二热响应。
地址 美国纽约阿芒克