发明名称 |
可重新配置的逻辑电路 |
摘要 |
可以提供一个可重新配置逻辑电路,可以采用该可重新配置逻辑电路实现高集成度。可重新配置逻辑电路包括:包括多个自旋MOSFET和选择部分的多路复用器,每个所述自旋MOSFET具有包含磁材料的源极和漏极,并且所述选择部分包括多个MOSFET,并且基于从控制线传输的控制数据,从多个自旋MOSFET中选择一个自旋MOSFET;确定电路,其确定由选择部分选择的所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化处于第一状态还是第二状态;以及第一和第二写电路,其通过提供在所选择的自旋MOSFET的源极和漏极之间流动的写电流,分别将所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化置于第二和第一状态。 |
申请公布号 |
CN101483428A |
申请公布日期 |
2009.07.15 |
申请号 |
CN200910002015.0 |
申请日期 |
2009.01.08 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
杉山英行;石川瑞惠;井口智明;齐藤好昭;棚本哲史 |
分类号 |
H03K19/0944(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/0944(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
屠长存 |
主权项 |
1. 一种可重新配置逻辑电路,包括:能够单独传输控制数据的多个控制线;包括多个自旋MOSFET和选择部分的多路复用器,每个所述自旋MOSFET具有包含磁材料的源极和漏极,并且所述选择部分包括多个MOSFET并且基于从控制线传输的控制数据从所述多个自旋MOSFET中选择自旋MOSFET;确定电路,其确定所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化处于第一状态还是与第一状态不同的第二状态,其中所选择的自旋MOSFET是由所述选择部分选择的,所述确定电路输出确定结果;第一写电路,其通过提供在所选择的自旋MOSFET的源极和漏极之间流动的写电流,将所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化置于第二状态;和第二写电路,其通过提供在所选择的自旋MOSFET的源极和漏极之间流动的写电流,将所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化置于第一状态。 |
地址 |
日本东京都 |