一种δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法

摘要

一种δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种紫外光电探测器。提供一种可独立控制倍增区厚度和面电荷浓度以及吸收区长度，消除雪崩器件中量子效率与响应时间的相互制约，优化器件性能的δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器与制备方法。呈台面结构，设有n⁺型4H-SiC衬底，在衬底上从下至上依次外延生长n⁺型缓冲层、超低掺杂n^-型层、δ掺杂n型层、低掺杂n^-型层和高掺杂p⁺型层，超低掺杂n^-型层、δ掺杂n型层和低掺杂n^-型层共同构成有源层；设有3个台面，其中最下面的台面用于器件隔离并位于n⁺型缓冲层，其它台面全部位于器件有源层上；器件表面设有致密的氧化硅钝化膜，设p型和n型电极。

主权项

1. 一种δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器，其特征在于呈台面结构，设有n+型4H-SiC衬底，在衬底上从下至上依次外延生长重掺杂n+型缓冲层、超低掺杂n-型层、δ掺杂n型层、低掺杂n-型层和高掺杂p+型层，超低掺杂n-型层、δ掺杂n型层和低掺杂n-型层共同构成有源层；设有3个台面，其中最下面的台面用于器件隔离并位于重掺杂n+型缓冲层，其它台面全部位于器件有源层上；器件表面设有致密的氧化硅钝化膜，在p+型层上设有p型电极，在p型电极上沉积Ti/Au作为焊盘接触金属，在衬底背面设有n型电极；超低掺杂n-型层的掺杂浓度为低于1.0×1015/cm3或非故意掺杂；低掺杂n-型层的掺杂浓度为1.0×1015/cm3～5.0×1016/cm3或非故意掺杂；高掺杂p+型层的掺杂浓度至少为1.0×1018/cm3。