半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，能够以较少的工序制造出具有所期望的特性的多种类型的晶体管。该半导体装置具有：到达第1深度的元件分离区域；第1导电型的第1和第2阱；第1晶体管，形成于第1阱，具有第1厚度的栅极绝缘膜、和第2导电型的源极/漏极区域和栅电极；以及第2晶体管，形成于第2阱内，具有比第1厚度薄的第2厚度的栅极绝缘膜、和第2导电型的源极/漏极区域和栅电极，第1阱具有仅在与第1深度相同或更深的深度具有最大值的第1杂质浓度分布，第2阱具有第2杂质浓度分布，该分布在与第1阱相同的第1杂质浓度分布上重合了在比第1深度浅的第2深度具有最大值的杂质浓度分布，使得整体上在第2深度显示最大值。

主权项

1. 一种半导体装置，具有：元件分离区域，形成为从半导体基板的表面到达第1深度位置；形成于所述半导体基板上的第1导电型的第1和第2阱；第1晶体管，形成于所述第1阱内，具有第1厚度的栅极绝缘膜、和与所述第1导电型相反的第2导电型的源极/漏极区域和栅电极；以及第2晶体管，形成于所述第2阱内，具有比所述第1厚度薄的第2厚度的栅极绝缘膜、和第2导电型的源极/漏极区域和栅电极，所述第1阱具有第1杂质浓度分布，该分布仅在与所述第1深度位置相同或更深的深度位置具有最大值，所述第2阱具有第2杂质浓度分布，该分布在与所述第1阱相同的第1杂质浓度分布上重合了在比所述第1深度位置浅的第2深度位置具有最大值的杂质浓度分布，使得整体上在第2深度位置显示最大值。