在气体环境中执行曝光处理的基片处理系统

摘要

一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。

主权项

1. 一种在基片处理系统中向基片上喷射曝光处理气体的方法，所述的基片处理系统包括：具有多个进气口和至少一个出气口的小室；经过进气口将曝光处理气体导入所述小室中的气体导入装置；和具有多个开口的气体分配装置；其中所述气体分配装置将所述小室的内部空间分成经过进气口导入曝光处理气体的第一空间和设置基片的第二空间；所述气体分配装置具有多个开口，所述第一空间和第二空间通过所述的开口彼此连通；经过所述开口，所述气体分配装置将导入第一空间的曝光处理气体导入所述第二空间；所述方法包括步骤：将氮气注入液体，以产生包括从该液体蒸发的气体和氮气的曝光处理气体，将曝光处理气体提供到小室中，将曝光处理气体喷射到基片上；以及将曝光处理气体和台架的温度控制在18-40摄氏度的范围中。