一种薄型非接触模块的制造方法

摘要

本发明涉及一种薄型非接触模块的制造方法，其特征在于，其方法为：采用将硅圆片均匀减薄到150μm厚度以下的晶圆减薄IC卡，采用厚度60um超薄型带材和精密冲压模具制作高性能超薄载带，铜镍合金载带用环氧胶粘接IC卡，IC卡通过金线连接铜镍合金载带，应用超薄硅圆片的划片技术来进行芯片的切割，用模塑料注塑封装而成。本发明的优点是微型化、薄型化、高频化、片式化和低功耗。

主权项

1. 一种薄型非接触模块的制造方法，其特征在于，其方法为：第一步，采用东京精密的减薄设备将700微米—800微米标准硅圆片均匀减薄到150微米厚度以下的晶圆减薄集成电路芯片(3)；第二步，将应晶圆减薄集成电路芯片(3)在迪斯科设备上机械切割，用厚度约100微米的塑料薄膜贴上晶圆减薄集成电路芯片(3)，高速、精准地划开每个芯片，换穿深度170微米—190微米，薄膜划入1/3的深度，以便芯片取下；第三步，采用厚度60微米超薄型带材使用德国贺利斯公司的精密冲压模具制作高性能超薄载带(1)；用伊塞克3010芯片焊接设备，铜镍合金载带(1)上用非导电环氧胶(2)粘接已经划开的集成电路芯片(3)；其中胶体厚度小于10微米，通过170℃—190℃，4分钟—6分钟的烘烤固化，使芯片牢固地焊接在铜镍合金载带(1)上；第四步，在伊塞克3088设备，用加热、超声加压烧制一个金球在铜镍合金载带(1)上，通过金线(4)连接芯片(3)上的焊点，完成金线球焊，金线的弧高不超过45微米，拉力大于6克；第五步，在菲科设备上，用日东模塑料(5)，在注塑温度170℃—190℃，固化时间40秒—60秒，合模压力240千牛，注塑压力7兆帕，完成厚度为230微米外形为4.80毫米×5.10毫米的封装体。