| 发明名称 | 沉淀法二氧化硅的表面处理方法及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种沉淀法二氧化硅的表面处理方法及其应用，在氮气气氛下，将70～100份不反应的聚硅氧烷(硅油)与增容剂先混合，增容剂占二氧化硅重量的8％～20％；70～100份的沉淀法二氧化硅采用分步渐次减少的加料法加入，每次加料搅拌时间为20～60分钟，得到混合物，混合物在130℃以下反应3～12小时；而后将得到的混合物进行抽真空，温度为130～160℃，时间为3～12小时；将反应性的端羟基聚硅氧烷加入，搅拌均匀；得到的悬浮液再经三辊机研磨，得到均匀的二氧化硅及聚硅氧烷的悬浮液。本发明的优点：二氧化硅在硅油中均匀分布，悬浮液具有很好的流动性，贮存过程中的稳定性，弹性体具有较好的机械性能；简单地使用，经济而且容易工业化。 | ||
| 申请公布号 | CN101481549A | 申请公布日期 | 2009.07.15 |
| 申请号 | CN200910045579.2 | 申请日期 | 2009.01.20 |
| 申请人 | 蓝星有机硅（上海）有限公司 | 发明人 | 贾丽亚;杨一力;李培 |
| 分类号 | C09C1/28(2006.01)I;C09C3/12(2006.01)I | 主分类号 | C09C1/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 翟 羽 |
| 主权项 | 1. 一种沉淀法二氧化硅的表面处理方法，其特征在于，具体步骤为：(1)将70～100份聚硅氧烷与增容剂在氮气气氛下先混合，其中，增容剂占二氧化硅重量的8～20％；所述的增容剂选自六甲基二硅氮烷，1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氮烷，六甲基环三硅氮烷，八甲基环四硅氮烷中的一种或者几种混合物；(2)70～100份的沉淀法二氧化硅采用分步渐次减少的加料法加入，每次加料搅拌时间为20～60分钟，得到混合物，混合物在130℃以下反应3～12小时；(3)将步骤(2)得到的混合物进行抽真空，温度为130～160℃，时间为3～12小时；将反应性的端羟基聚硅氧烷加入，搅拌均匀；得到的悬浮液再经三辊机研磨，得到均匀的二氧化硅及聚硅氧烷的悬浮液。 | ||
| 地址 | 201108上海市闵行区莘庄工业区金都路3966号 | ||