| 发明名称 | 干蚀刻氧化物半导体膜的方法 | ||
| 摘要 | 提供了含有至少In、Ga和Zn的氧化物半导体膜的干蚀刻法，其包括在含有卤素基气体的气氛中蚀刻氧化物半导体膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100514582C | 申请公布日期 | 2009.07.15 |
| 申请号 | CN200710140773.X | 申请日期 | 2007.08.09 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 张建六 |
| 分类号 | H01L21/465(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/465(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王 健 |
| 主权项 | 1. 干蚀刻包含In、Ga、和Zn的氧化物半导体膜的方法，其包括在含有卤素基气体的气氛中进行蚀刻。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||