| 主权项 |
1.一种提升靶材利用率溅渡装置，系包含：一导电元件、一双极磁性元件、一靶材所组成，系通电于导电元件，并于靶材一侧通入氩气产生电浆，利用磁场和电场的互相作用，不断的撞击靶材，将靶材分子溅镀于基材表面，造成溅镀之动作，完成一种的靶材利用率溅镀装置。2.如申请专利范围第1项所述之提升靶材利用率溅镀装置，进一步将该导电元件一侧设置一个以上之双极磁性元件，其目的：增加磁力线的干扰，增加磁场，提高靶材利用率。图式简单说明：第一图为现有靶材利用率溅镀装置之溅镀示意图(一)。第二图为现有靶材利用率溅镀装置之溅镀示意图(二)。第三图为本创作提升靶材利用率溅镀装置之溅镀示意图(一)。第四图为本创作提升靶材利用率溅镀装置之溅镀示意图(二)。 |
