| 发明名称 |
GATE-INDUCED STRAIN FOR MOS PERFORMANCE IMPROVEMENT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
HK1072663(A1) |
申请公布日期 |
2009.07.10 |
| 申请号 |
HK20050105417 |
申请日期 |
2005.06.29 |
| 申请人 |
INTEL CORPORATION |
发明人 |
THOMAS HOFFMANN;STEPHEN M. CEA;MARTIN D. GILES |
| 分类号 |
H01L;H01L21/28;H01L29/10;H01L29/49 |
主分类号 |
H01L |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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