EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER CHIP HAVING AT LEAST ONE CURRENT BARRIER

摘要

Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaserchip (1) angegeben, mit - zumindest einem Kontaktstreifen (2), wobei der Kontaktreifen (2) eine Breite B aufweist, - einer aktiven Zone (14), in der im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, - zumindest zwei Strombarrieren (4), die auf unterschiedlichen Seiten des Kontaktstreifens (2) angeordnet sind und sich längs des Kontaktstreifens (2) erstrecken, wobei der größte Abstand V zwischen zumindest einer der Strombarrieren (4) und dem Kontaktstreifen (3) derart gewählt ist, dass das Verhältnis von größtem Abstand V zur Breite B V/B > 1 ist.