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Ein Nitrid-basiertes FET-Bauteil, das ein reduziertes Fangen von Elektronen (eng. electron trapping) und einen reduzierten Gate-Leckstrom bietet. Das Bauteil beinhaltet eine relativ dicke Passivierungsschicht, um durch Bauteilbearbeitungsschritte verursachte Fangstellen zu reduzieren, und eine dünne Passivierungsschicht unter dem Gate-Anschluss, um den Gate-Leckstrom zu reduzieren. Das Bauteil beinhaltet auf ein Substrat aufgebrachte Halbleiterbauteilschichten. Mehrere Passivierungsschichten werden auf die Halbleiterbauteilschichten aufgebracht, wobei mindestens zwei der Schichten aus einem unterschiedlichen dielektrischen Material bestehen, um einen Ätzstopp bereitzustellen. Eine oder mehrere der Passivierungsschichten können entfernt werden, indem man die Grenzfläche zwischen den Schichten als Ätzstopp einsetzt, so dass der Abstand zwischen dem Gate-Anschluss und den Halbleiterbauteilschichten genau überwacht werden kann, wobei der Abstand sehr klein sein kann, um das Bauteilbetriebsverhalten zu steigern und den Gate-Leckstrom zu reduzieren.
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