Verfahren zum Erzeugen von Strukturen in einem Resistmaterial und Elektronenstrahlbelichtungsanlagen

摘要

Verschiedene Verfahren und Elektronenstrahlbelichtungsanlagen ermöglichen das Erzeugen einer Struktur mit einem vorgegebenen Winkel bezüglich eines Referenzkoordinatensystems einer Elektronenstrahlbelichtungsanlage, unter deren Nutzung eine Struktur in ein Resistmaterial abgebildet wird. Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren wird eine erste Struktur aus gleichgroßen Rechtecken mit vorgegebenen Abmessungen in das Resistmaterial abgebildet, wobei die Rechtecke aneinandergrenzen und gegeneinander in einer ersten Richtung versetzt angeordnet sind. Nachfolgend wird eine zweite Struktur in das Resistmaterial abgebildet, die der ersten Struktur gleicht, jedoch zur ersten Struktur in der ersten und in einer zweiten Richtung versetzt angeordnet ist, wobei die zweite Richtung senkrecht zur ersten Richtung verläuft. Dabei wird eine sich ergebende Struktur durch die Überlagerung der ersten und der zweiten Struktur erzeugt.