发明名称 Einrichtung für das Plasmaätzen von Halbleiterwafern und/oder Bildung von dielektrischen Filmen darauf
摘要
申请公布号 DE212007000081(U1) 申请公布日期 2009.07.09
申请号 DE200721000081U 申请日期 2007.02.22
申请人 "NAUCHNOE I TEKHNOLOGICHESKOE OBORUDOVANIE" LIMITED 发明人
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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