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发明名称 Isolierte MOS-Transistoren mit ausgedehntem Drain-Gebiet für erhöhte Spannungen
摘要
申请公布号 DE10343132(B4) 申请公布日期 2009.07.09
申请号 DE20031043132 申请日期 2003.09.18
申请人 X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG 发明人 LERNER, RALF;STOLL, GUNTER;SCHOTTMANN, KLAUS
分类号 H01L27/12;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/786 主分类号 H01L27/12
代理机构 代理人
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